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BSZ0901NSI

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-TDSON-8
数量：: 11595
说明：: MOSFET N-CH 30V 0.9mOhm

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BSZ0901NSI PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：BSZ0901NSIATMA1 BSZ0901NSIXT SP000853566
典型关闭延迟时间：27 nS
上升时间：7.2 ns
功率耗散：69 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：41 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：50 S
下降时间：4.6 ns
包装形式：Reel
封装形式：PG-TDSON-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：2.1 mOhms at 10 V
漏极连续电流：40 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

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