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BSZ0902NS

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 TDSON-8
数量：
 4265  
说明：
 MOSFET N-Channel 30V MOSFET
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BSZ0902NS PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：BSZ0902NSATMA1 BSZ0902NSXT SP000854386
典型关闭延迟时间：21 nS
上升时间：5.2 nS
功率耗散：48 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：26 nC
下降时间：3.6 nS
包装形式：Reel
封装形式：TDSON-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：2.6 mOhms at 4.5 V
漏极连续电流：40 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

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