BSZ0901NS

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 PG-TDSON-8
数量:
 13796  
说明:
 MOSFET N-CH 30V 0.9mOhm
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中文参数如下:

零件号别名:BSZ0901NSATMA1 BSZ0901NSXT SP000854570
典型关闭延迟时间:28 ns
上升时间:6.8 ns
功率耗散:2.1 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:23 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :140 S
下降时间:4.8 ns
包装形式:Reel
封装形式:PG-TDSON-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS(导通):1.7 mOhms at 10 V
漏极连续电流:40 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Infineon

以上是BSZ0901NS的详细信息,包括BSZ0901NS厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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