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BSC018NE2LSIXT

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 PG-TDSON-8
数量：
 1098  
说明：
 MOSFET OptiMOS Power MOSFET
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中文参数如下：

零件号别名：BSC018NE2LSI BSC018NE2LSIATMA1
典型关闭延迟时间：24 ns
上升时间：4.8 ns
功率耗散：69 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：36 nC
下降时间：3.6 ns
包装形式：Reel
封装形式：PG-TDSON-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.8 mOhms at 4.5 V
漏极连续电流：100 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：25 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是BSC018NE2LSIXT的详细信息，包括BSC018NE2LSIXT厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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