BSC018NE2LSIXT

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 PG-TDSON-8
数量:
 1098  
说明:
 MOSFET OptiMOS Power MOSFET
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中文参数如下:

零件号别名:BSC018NE2LSI BSC018NE2LSIATMA1
典型关闭延迟时间:24 ns
上升时间:4.8 ns
功率耗散:69 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:36 nC
下降时间:3.6 ns
包装形式:Reel
封装形式:PG-TDSON-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS(导通):1.8 mOhms at 4.5 V
漏极连续电流:100 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:25 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Infineon

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