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BSC020N025S G

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-TDSON-8-1
数量：: 5544
说明：: MOSFET N-CH 25V 29A

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BSC020N025S G PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：BSC020N025SGXT
典型关闭延迟时间：47 ns
工厂包装数量：1
上升时间：10 ns
功率耗散：2.8 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：8 ns
包装形式：Reel
封装形式：TDSON
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.002 Ohms
漏极连续电流：29 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：25 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

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