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BSC020N03LSG

厂家：: Infineon Technologies
封装：: TDSON
数量：: 3978
说明：: MOSFET

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BSC020N03LSG PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：42 ns
上升时间：7 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：7 ns
封装形式：TDSON
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.002 Ohms
漏极连续电流：28 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
制造商：Infineon

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