BSC022N03SG

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-TDSON-8-1
数量：: 3987
说明：

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BSC022N03SG PDF参数资料

中文参数如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：2.8W（Ta），104W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：8290 pF @ 15 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：64 nC @ 5 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 110μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.2 毫欧 @ 50A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：28A（Ta），100A（Tc）
漏源电压（Vdss）：30 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：停产
包装：OptiMOS?
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）
品牌：Infineon Technologies

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