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BSC019N04NS G

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 TDSON
数量：
 5535  
说明：
 MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 40V 100A
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BSC019N04NS G PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：BSC019N04NSGATMA1 BSC019N04NSGXT SP000388299
典型关闭延迟时间：33 ns
工厂包装数量：5000
上升时间：5.6 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：6.6 ns
包装形式：Reel
封装形式：TDSON
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0019 Ohms
漏极连续电流：29 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：40 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

以上是BSC019N04NS G的详细信息，包括BSC019N04NS G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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