BSC018N04LSGATMA1

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 PG-TDSON-8-1
数量:
 7524  
说明:
 MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
BSC018N04LSGATMA1-PG-TDSON-8-1图片

BSC018N04LSGATMA1 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
:-55°C ~ 150°C(TJ)
功率耗散(最大值):2.5W(Ta),125W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):12000 pF @ 20 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):150 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2V @ 85μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.8 毫欧 @ 50A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A(Ta),100A(Tc)
漏源电压(Vdss):40 V
技术:MOSFET(金属氧化物)
FET 类型:N 通道
产品状态:在售
包装:OptiMOS?
系列:卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌:Infineon Technologies

以上是BSC018N04LSGATMA1的详细信息,包括BSC018N04LSGATMA1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC