| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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BSM400GA120DN2FS_E3256 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1200V 400A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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BSM200GA120DN2S_E3256 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1200V 200A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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BSM200GA170DLC | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模块 N-CH 1.7KV 400A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single Dual Emitter，集电极—发射极最大电压 VCEO：170... | ||||||
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BSM200GA170DN2 | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模块 N-CH 1.7KV 290A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single Dual Emitter，集电极—发射极最大电压 VCEO：170... | ||||||
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BSM200GA170DN2S | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模块 N-CH 1.7KV 290A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single Dual Emitter，集电极—发射极最大电压 VCEO：170... | ||||||
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BSM200GA170DN2S_E3256 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1700V 200A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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BSM200GAL120DLC | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模块 1200V 200A CHOPPER | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集电极—发射极最大电压 V... | ||||||
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BSM200GAL120DN2 | Infineon Technologies | HB 200GAL | IGBT 模块 1200V 200A GAL CH | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集电极—发射极最大电压 V... | ||||||
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BSM200GAR120DN2 | Infineon Technologies | HB 200GAR | IGBT 模块 1200V 200A GAR CH | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集电极—发射极最大电压 V... | ||||||
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BSM200GB120DLC | Infineon Technologies | 62 mm | 24 | IGBT 模块 1200V 200A DUAL | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCE... | ||||||
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BSM200GB120DLC_E3256 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1200V 200A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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BSM200GB120DN2 | Infineon Technologies | Half Bridge2 | 21 | IGBT 模块 1200V 200A DUAL | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Half Bridge Module，集... | ||||||
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BSM200GB170DL | Infineon Technologies | IGBT 模块 N-CH 1.7KV 400A | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
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BSM200GB170DLC | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模块 1700V 200A DUAL | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCE... | ||||||
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BSM200GB60DLC | Infineon Technologies | 34MM | 678 | IGBT 模块 600V 200A DUAL | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCE... | ||||||
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BSM200GD60DLC | Infineon Technologies | EconoPACK 3A | IGBT 模块 600V 200A 3-PHASE | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO... | ||||||
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BSM200GT120DLC | Infineon Technologies | EconoPACK 3A | IGBT 模块 1200V 200A TRIPACK | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO... | ||||||
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BSM200GT120DN2 | Infineon Technologies | EconoPACK 3A | IGBT 模块 1200V 200A TRIPACK | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO... | ||||||
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BSM20GD60DLC | Infineon Technologies | EconoPACK 2A | IGBT 模块 600V 20A 3-PHASE | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO... | ||||||
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BSM20GD60DLCE3224 | Infineon Technologies | EconoPACK 2A | IGBT 模块 N-CH 600V 32A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：1.... | ||||||
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