BSM200GAR120DN2

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 HB 200GAR
数量:
 5211  
说明:
 IGBT 模块 1200V 200A GAR CH
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BSM200GAR120DN2 PDF参数资料

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中文参数如下:

工厂包装数量:500
安装风格:Screw
栅极/发射极最大电压:20 V
封装形式:HB 200GAR
最大工作温度:+ 150 C
功率耗散:1.4 KW
栅极—射极漏泄电流:400 nA
在25 C的连续集电极电流:290 A
集电极—射极饱和电压:2.5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V
配置:Single
产品:IGBT Silicon Modules
RoHS:否
产品种类:IGBT 模块
制造商:Infineon

以上是BSM200GAR120DN2的详细信息,包括BSM200GAR120DN2厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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