BSM200GT120DN2

中文参数如下：

工厂包装数量：10
安装风格：Screw
栅极/发射极最大电压：20 V
封装形式：EconoPACK 3A
最大工作温度：+ 150 C
功率耗散：1.4 KW
栅极—射极漏泄电流：200 nA
在25 C的连续集电极电流：300 A
集电极—射极饱和电压：2.5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V
配置：Hex
产品：IGBT Silicon Modules
RoHS：否
产品种类：IGBT 模块
制造商：Infineon

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