BSM200GB120DN2

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 Half Bridge2
数量:
 5349  
说明:
 IGBT 模块 1200V 200A DUAL
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
BSM200GB120DN2-Half Bridge2图片

BSM200GB120DN2 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:

工厂包装数量:500
安装风格:Screw
栅极/发射极最大电压:20 V
封装形式:Half Bridge2
最大工作温度:+ 150 C
功率耗散:1.4 KW
栅极—射极漏泄电流:400 nA
在25 C的连续集电极电流:290 A
集电极—射极饱和电压:2.5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V
配置:Half Bridge Module
产品:IGBT Silicon Modules
RoHS:是
产品种类:IGBT 模块
制造商:Infineon

以上是BSM200GB120DN2的详细信息,包括BSM200GB120DN2厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC