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型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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PTFB211503EL V1 R250 |
Infineon Technologies |
H-33288-6 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1.2 A，闸/源击穿电压：10... |
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PTFB211503FL V1 |
Infineon Technologies |
H-34288-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1.2 A，闸/源击穿电压：10... |
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PTFB211503FL V1 R250 |
Infineon Technologies |
H-34288-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1.2 A，闸/源击穿电压：10... |
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PTFB211503FL V2 |
Infineon Technologies |
H-34288-4/2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS FETs 150W 2110-2170 MHz |
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| 参数：制造商：Infineon，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：2.17 GHz，增益：18 dB，输出功率：32 W，汲极/源极击穿电压：... |
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PTFB211503FL V2 R250 |
Infineon Technologies |
H-34288-4/2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS FETs 150W 2110-2170 MHz |
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| 参数：制造商：Infineon，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：2.17 GHz，增益：18 dB，输出功率：32 W，汲极/源极击穿电压：... |
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PTFB211803EL V1 |
Infineon Technologies |
H-33288-6 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1.3 A，闸/源击穿电压：10... |
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PTFB211803EL V1 R250 |
Infineon Technologies |
H-33288-6 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1.3 A，闸/源击穿电压：10... |
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PTFB211803FL V1 |
Infineon Technologies |
H-34288-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1.3 A，闸/源击穿电压：10... |
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PTFB211803FL V1 R250 |
Infineon Technologies |
H-34288-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1.3 A，闸/源击穿电压：10... |
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PTFB211803FL V2 |
Infineon Technologies |
H-34288-4/2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS FETs 180W 2110-2170 MHz |
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| 参数：制造商：Infineon，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：2.17 GHz，增益：17.5 dB，输出功率：40 W，汲极/源极击穿电... |
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PTFB211803FL V2 R250 |
Infineon Technologies |
H-34288-4/2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS FETs 180W 2110-2170 MHz |
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| 参数：制造商：Infineon，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：2.17 GHz，增益：17.5 dB，输出功率：40 W，汲极/源极击穿电... |
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PTFB212503EL V1 |
Infineon Technologies |
H-33288-6 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1.85 A，闸/源击穿电压：1... |
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PTFB212503EL V1 R250 |
Infineon Technologies |
H-33288-6 |
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射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS FETs 240W 2110-2170 MHz |
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| 参数：制造商：Infineon，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：2.17 GHz，增益：18 dB，输出功率：55 W，汲极/源极击穿电压：... |
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PTFB212503EL V2 |
Infineon Technologies |
H-33288-6 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1.85 A，闸/源击穿电压：1... |
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PTFB212503FL V1 |
Infineon Technologies |
H-34288-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1.85 A，闸/源击穿电压：1... |
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PTFB212503FL V1 R250 |
Infineon Technologies |
H-34288-4/2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS FETs 240W 2110-2170 MHz |
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| 参数：制造商：Infineon，RoHS：否，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：2.17 GHz，增益：18 dB，输出功率：55 W，汲极/... |
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PTFB212503FL V2 |
Infineon Technologies |
H-34288-2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1.85 A，闸/源击穿电压：1... |
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PTFB212503FL V2 R250 |
Infineon Technologies |
H-34288-4/2 |
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射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS FETs 240W 2110-2170 MHz |
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| 参数：制造商：Infineon，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：2.17 GHz，增益：18 dB，输出功率：55 W，汲极/源极击穿电压：... |
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PTFB213004F V1 |
Infineon Technologies |
H-37275-6 |
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射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9 |
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| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：2.4 A，闸/源击穿电压：10... |
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PTFB213004F V1 R250 |
Infineon Technologies |
H-37275-6/2 |
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射频MOSFET电源晶体管 Hi-Power RF LDMOS 300W 2110-2170MHz |
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| 参数：制造商：Infineon，RoHS：否，配置：Dual，晶体管极性：N-Channel，频率：2.17 GHz，增益：18 dB，输出功率：60 W，汲极/源极... |
