Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SUP40N06-25L | Vishay/Siliconix | TO-220AB-3 | MOSFET 60V 40A 90W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SUP40N06-25L-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220AB-3 | MOSFET 60V 40A 90W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SUP40N10-30-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220AB | MOSFET 100V 40A 107W 30mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SUP40N25-60-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET 250V 40A 300W 60mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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SUP45N03-13L | Vishay/Siliconix | TO-220AB-3 | MOSFET 30V 45A 88W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极... | ||||||
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SUP45N03-13L-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET 30V 45A 88W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极... | ||||||
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SUP45N05-20L | Vishay/Siliconix | TO-220AB-3 | MOSFET 50V 45A 93W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：50 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SUP45N05-20L-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220AB-3 | MOSFET 50V 45A 93W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：50 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SUP50N03-5M1P-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET 30V 50A N-CH MOSFET | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：50 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0... | ||||||
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SUP53P06-20-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220AB | 640 | MOSFET 60V 53A 104.2W 19.5mohm @ 10V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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SUP57N20-33 | Vishay/Siliconix | TO-220AB-3 | MOSFET 200V 57A 300W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SUP57N20-33-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 390 | MOSFET 200V 57A 300W | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SUP60N02-4M5P-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET 20V 60A 120W 4.5mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SUP60N06-12P-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET 60V 60A 100W 12mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SUP60N06-12P-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET 60V 60A 100W 12mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SUP60N06-18 | Vishay/Siliconix | TO-220AB-3 | MOSFET 60V 60A 120W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SUP60N06-18-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220AB-3 | MOSFET 60V 60A 120W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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SUP60N10-16L-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET 100V 60A 150W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SUP60N10-18P-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET 100V 60A 150W 18.3mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，漏极连续电流：60 A，电阻汲极/源... | ||||||
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SUP65P04-15 | Vishay/Siliconix | TO-220AB-3 | MOSFET 40V 65A 120W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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