SUP50N03-5M1P-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: TO-220-3
数量：: 7227
说明：: MOSFET 30V 50A N-CH MOSFET

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SUP50N03-5M1P-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

功率耗散：59.5 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：110 S
包装形式：Bulk
封装形式：TO-220AB
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0042 Ohms
漏极连续电流：50 A
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

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