SUP57N20-33

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 TO-220AB-3
数量:
 5958  
说明:
 MOSFET 200V 57A 300W
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SUP57N20-33 PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:45 ns
工厂包装数量:500
上升时间:220 ns
功率耗散:3.75 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:200 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-220AB-3
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):33 mOhms
漏极连续电流:57 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:200 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:否
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SUP57N20-33的详细信息,包括SUP57N20-33厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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