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SUP57N20-33

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: TO-220AB-3
数量：: 5958
说明：: MOSFET 200V 57A 300W

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SUP57N20-33 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：45 ns
工厂包装数量：500
上升时间：220 ns
功率耗散：3.75 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：200 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220AB-3
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：33 mOhms
漏极连续电流：57 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：200 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SUP57N20-33的详细信息，包括SUP57N20-33厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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