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SUP60N10-18P-E3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 TO-220-3
数量：
 3663  
说明：
 MOSFET 100V 60A 150W 18.3mohm @ 10V
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SUP60N10-18P-E3-TO-220-3图片

SUP60N10-18P-E3 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：18 ns
上升时间：10 ns
功率耗散：150 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：48 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：33 S
下降时间：8 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220AB
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0183 Ohms
漏极连续电流：60 A
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SUP60N10-18P-E3的详细信息，包括SUP60N10-18P-E3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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