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SUP60N06-12P-GE3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 TO-220-3
数量：
 3645  
说明：
 MOSFET 60V 60A 100W 12mohm @ 10V
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SUP60N06-12P-GE3-TO-220-3图片

SUP60N06-12P-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：16 ns
工厂包装数量：500
上升时间：11 ns
功率耗散：3.25 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：8 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220AB-3
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：12 mOhms
漏极连续电流：60 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SUP60N06-12P-GE3的详细信息，包括SUP60N06-12P-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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