ON Semiconductor
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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NTD5805NT4G | ON Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET NFET DPAK 40V 51A 9.5mOhm | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：2... | ||||||
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NTD5806NT4G | ON Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET NFET DPAK 40V 33A 19mOhm | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：3... | ||||||
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NTD5807NT4G | ON Semiconductor | DPAK | MOSFET NFET DPAK 40V 23A 31mOhm | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
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NTD5862N-1G | ON Semiconductor | DPAK | MOSFET NFET IPAK 60V 102A 6MOHM | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，漏极连续电流：98 A，电阻汲极/源极 R... | ||||||
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NTD5862NT4G | ON Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET NFET DPAK 60V 102A 6MOHM | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，RoHS：否，最大工作温度：+ 150 C，安装风格：SMD/SMT，包装形式：Reel，最小工作温度：- 55 C，... | ||||||
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NTD5865N-1G | ON Semiconductor | DPAK | MOSFET Single N-CH 60V 38A | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，漏极连续电流：38 A，电阻汲极/源极 R... | ||||||
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NTD5865NL-1G | ON Semiconductor | I-PAK | MOSFET Single N-CH 60V 40A | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，漏极连续电流：40 A，电阻汲极/源极 R... | ||||||
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NTD5865NLT4G | ON Semiconductor | DPAK | MOSFET Single N-CH 60V 40A | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，漏极连续电流：40... | ||||||
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NTD5865NT4G | ON Semiconductor | DPAK | MOSFET Single N-CH 60V 38A | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，漏极连续电流：38 A，电阻汲极/源极 R... | ||||||
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NTD5867NL-1G | ON Semiconductor | I-PAK | MOSFET NFET DPAK 60V 18A 43 MOHM | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：20 A... | ||||||
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NTD5867NLT4G | ON Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 2,360 | MOSFET NFET DPAK 60V 18A 43 MOHM | |
| 参数：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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NTD60N02R | ON Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET 25V 62A N-Channel | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
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NTD60N02R-001 | ON Semiconductor | DPAK | MOSFET 25V 62A N-Channel | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
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NTD60N02R-035 | ON Semiconductor | TO-251-3 短截引线，IPak | MOSFET 25V 62A N-Channel | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
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NTD60N02R-1G | ON Semiconductor | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA | MOSFET 25V 62A N-Channel | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
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NTD60N02R-35G | ON Semiconductor | TO-251-3 短截引线，IPak | MOSFET 25V 62A N-Channel | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
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NTD60N02RG | ON Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET 25V 62A N-Channel | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
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NTD60N02RT4 | ON Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET 25V 62A N-Channel | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
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NTD60N02RT4G | ON Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET 25V 62A N-Channel | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
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NTD6414AN-1G | ON Semiconductor | I-PAK | MOSFET NFET IPAK 100V 29A 38MOHM | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连... | ||||||
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