ON Semiconductor
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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NTD4959N-35G | ON Semiconductor | I-Pak | MOSFET NFET DPAK 30V | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，... | ||||||
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NTD4959NH-1G | ON Semiconductor | I-PAK | MOSFET NFET DPAK 30V | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，包装形式：Rail，... | ||||||
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NTD4959NH-35G | ON Semiconductor | I-Pak | MOSFET NFET DPAK 30V | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，包装形式：Rail，... | ||||||
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NTD4959NHT4G | ON Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET NFET DPAK 30V | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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NTD4959NT4G | ON Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET NFET DPAK 30V | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，包装形式：Reel，... | ||||||
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NTD4960N-1G | ON Semiconductor | I-Pak | MOSFET NFET IPAK 30V 55A 8mOHM | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：1... | ||||||
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NTD4960N-35G | ON Semiconductor | I-Pak | MOSFET NFET DPAK 30V 55A 8mOHM | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：1... | ||||||
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NTD4960NT4G | ON Semiconductor | DPAK | MOSFET NFET DPAK 30V 55A 8mOHM | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：1... | ||||||
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NTD4963N-1G | ON Semiconductor | IPAK | 3236 | MOSFET NFET IPAK 30V 44A 9.6MOHM | |
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：44... | ||||||
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NTD4963N-35G | ON Semiconductor | TO-251-3 短截引线，IPak | MOSFET NFET DPAK 30V 44A 9.6MOHM | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：44... | ||||||
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NTD4963NT4G | ON Semiconductor | DPAK | MOSFET NFET DPAK 30V 44A 9.6MOHM | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：44... | ||||||
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NTD4965N-1G | ON Semiconductor | IPAK-3 | 1168 | MOSFET TRENCH 3.1 30V 4 mOhm NCH | |
| 参数：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：17.8 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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NTD4965N-35G | ON Semiconductor | I-Pak | MOSFET TRENCH 3.1 30V 4 mOhm NCH | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：17.8 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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NTD4965NT4G | ON Semiconductor | DPAK-3 | 77 | MOSFET TRENCH 3.1 30V 4 mOhm NCH | |
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：17... | ||||||
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NTD4969N-1G | ON Semiconductor | IPAK | 157 | MOSFET TRENCH 3.1 30V 9 mOhm NCH | |
| 参数：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：12.7 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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NTD4969N-35G | ON Semiconductor | I-Pak | MOSFET TRENCH 3.1 30V 9 mOhm NCH | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：12.7 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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NTD4969NT4G | ON Semiconductor | DPAK | MOSFET TRENCH 3.1 30V 9 mOhm NCH | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：12.7 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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NTD4970N-1G | ON Semiconductor | IPAK | 84 | MOSFET NFET DPAK 30V 38A 11MOHM | |
| 参数：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：11.6 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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NTD4970N-35G | ON Semiconductor | I-Pak | MOSFET NFET DPAK 30V 38A 11MOHM | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：11.6 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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NTD4970NT4G | ON Semiconductor | DPAK | MOSFET NFET DPAK 30V 38A 11MOHM | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：11... | ||||||
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