Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IPD60R450E6 | Infineon Technologies | TO-252 | 2410 | MOSFET N-CH 650V 9.2A | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：9.2 A，电阻... | ||||||
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IPD60R520C6 | Infineon Technologies | PG-TO252-3 | 2500 | MOSFET COOL MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPD60R520CP | Infineon Technologies | TO-252 | 2475 | MOSFET COOL MOS PWR TRANS MAX 650V | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPD60R600C6 | Infineon Technologies | PG-TO-252 | 443 | MOSFET 600V CoolMOS C6 Power Transistor | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：20.2... | ||||||
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IPD60R600CP | Infineon Technologies | TO-252 | 2300 | MOSFET COOL MOS PWR TRANS MAX 650V | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPD60R600E6 | Infineon Technologies | PG-TO252-3 | MOSFET N-CH 650V 7.3A | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：7.3 A，电阻... | ||||||
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IPD60R600P6 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET 600V CoolMOS P6 MOSFET 600 Rds | ||
| 参数：制造商：Infineon，封装形式：TO-252，... | ||||||
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IPD60R750E6 | Infineon Technologies | TO-252 | 1816 | MOSFET N-CH 650V 5.7A | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：5.7 A，电阻... | ||||||
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IPD60R950C6 | Infineon Technologies | PG-TO252-3 | MOSFET N-CH 650V 4.4A | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：4.4 A，电阻... | ||||||
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IPD640N06L G | Infineon Technologies | TO-252 | 13308 | MOSFET N-CH 60V 18A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD64CN10N G | Infineon Technologies | PG-TO252-3 | MOSFET N-CH 100V 17A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPD65R380C6 | Infineon Technologies | TO-252 | 1974 | MOSFET N-CH 700V 10.6A | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：700 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：10.6 A，电... | ||||||
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IPD65R380E6 | Infineon Technologies | TO-252-3 | 706 | MOSFET 650V CoolMOS E6 Power Transistor | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：700 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：10.6... | ||||||
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IPD65R420CFD | Infineon Technologies | TO-252 | 2378 | MOSFET CoolMOS 650V 420mOhm CFD2 N-Chan MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电流：8.7 A，电阻... | ||||||
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IPD65R600C6 | Infineon Technologies | TO-252-3 | MOSFET 650V CoolMOS C6 Power Transistor | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：700 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：7.3 ... | ||||||
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IPD65R600E6 | Infineon Technologies | TO-252 | 2122 | MOSFET N-CH 700V 7.3A | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：700 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：7.3 A，电阻... | ||||||
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IPD65R660CFD | Infineon Technologies | TO-252 | 1580 | MOSFET COOLM 650V CFD PWR TRANS | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电流：6 A，电阻汲极... | ||||||
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IPD70N03S4L04 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，漏极连续电流：70 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IPD70N03S4L-04 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET OPTIMOS-T2 PWR-TRANS 30V 30A 13.6mOhms | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，... | ||||||
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IPD70N04S307 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：70 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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