Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IPD30N06S223 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：30 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IPD30N06S2-23 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 55V 30A 23mOhms | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD30N06S2L-13 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 55V 30A 13mOhms | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD30N06S2L-23 | Infineon Technologies | TO-252 | 3777 | MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 55V 30A 23mOhms | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD30N06S3-24 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 30A 24mOhms | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD30N06S3L-20 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 30A 20mOhms | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，... | ||||||
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IPD30N06S4L-23 | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 60V MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：IPD30N06S4L23ATMA1 IPD30N06S4L23ATMA2 SP0003... | ||||||
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IPD30N08S222 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：30 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IPD30N08S2-22 | Infineon Technologies | TO-252 | 2363 | MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 75V30A 21.5mOhm | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD30N08S2L21 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：30 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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IPD30N08S2L-21 | Infineon Technologies | TO-252 | 2640 | MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 75V30A 20.5mOhm | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD30N10S3L-34 | Infineon Technologies | TO-252 | 2827 | MOSFET OptiMOS-T PWR TRANS 100V 30A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPD320N20N3 G | Infineon Technologies | TO-252-3 | 3303 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连... | ||||||
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IPD33CN10N G | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 100V 27A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPD350N06L G | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET OptiMOS PWR TRANST 60V 29A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD35N10S3L-26 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET N-Channel enh MOSFET 100V | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPD400N06N G | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET N-CH 60V MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD40N03S4L-08 | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 30V MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：IPD40N03S4L08ATMA1 IPD40N03S4L08XT SP0004759... | ||||||
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IPD49CN10N G | Infineon Technologies | PG-TO252-3 | MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 100V 20A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IPD50N03S207 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：50 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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