IPD50N03S207

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 TO-252
数量:
 8559  
说明:
 MOSFET
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IPD50N03S207 PDF参数资料

中文参数如下:

典型关闭延迟时间:26 ns
工厂包装数量:2500
上升时间:40 ns
功率耗散:136 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:30 ns
包装形式:Reel
封装形式:TO-252
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):7.3 m Ohms
漏极连续电流:50 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
制造商:Infineon

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