IPD50N03S207

厂家：: Infineon Technologies
封装：: TO-252
数量：: 8559
说明：: MOSFET

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IPD50N03S207 PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：26 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：40 ns
功率耗散：136 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：30 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-252
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：7.3 m Ohms
漏极连续电流：50 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
制造商：Infineon

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