IPD49CN10N G

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-TO252-3
数量：: 3591
说明：: MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 100V 20A

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IPD49CN10N G PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：IPD49CN10NGXT
典型关闭延迟时间：14 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：4 ns
功率耗散：44 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：3 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-252
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.049 Ohms
漏极连续电流：20 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

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