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IPD320N20N3 G

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 TO-252-3
数量：
 6849  
说明：
 MOSFET N-KANAL POWER MOS
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IPD320N20N3 G PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：IPD320N20N3GBTMA1 IPD320N20N3GXT SP000677838
典型关闭延迟时间：21 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：9 ns
功率耗散：136 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：22 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：55 S, 28 S
下降时间：4 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-252-3
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：32 mOhms
漏极连续电流：34 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：200 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPD320N20N3 G的详细信息，包括IPD320N20N3 G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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