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IPD400N06N G

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 TO-252
数量：
 3582  
说明：
 MOSFET N-CH 60V MOSFET
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IPD400N06N G-TO-252图片

IPD400N06N G PDF参数资料

中文参数如下：

零件号别名：IPD400N06NGBTMA1 IPD400N06NGXT SP000443744
典型关闭延迟时间：24 ns
上升时间：24 ns
功率耗散：68 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：23 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-252
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.04 Ohms
漏极连续电流：27 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPD400N06N G的详细信息，包括IPD400N06N G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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