Infineon Technologies
|
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPD038N06N3 G | Infineon Technologies | TO-252 | 726 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 60V 90A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IPD03N03LA G | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 1,037 | MOSFET N-CH 25V 90A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IPD03N03LB G | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET N-CH 30V 90A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
|
IPD040N03L G | Infineon Technologies | TO-252 | 1171 | MOSFET N-CH 30V 100A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IPD042P03L3 G | Infineon Technologies | TO-252 | 3838 | MOSFET P-KANAL | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IPD048N06L3 G | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IPD04N03LA G | Infineon Technologies | PG-TO252-3-11 | MOSFET N-CH 25V 50A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IPD04N03LB G | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 1,139 | MOSFET N-CH 30V 90A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IPD050N03L G | Infineon Technologies | TO-252 | 1910 | MOSFET N-CH 30V 50A 5mOhms | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
|
IPD053N06N | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET 60V TO-252 | ||
| 参数：制造商：Infineon，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：45 A，电阻汲极/源极 RDS... | ||||||
|
|
IPD053N06N3 G | Infineon Technologies | TO-252 | 2343 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IPD053N08N3 G | Infineon Technologies | TO-252 | 2148 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 80V 90A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IPD05N03LAG | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IPD05N03LBG | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IPD060N03L G | Infineon Technologies | TO-252 | 600 | MOSFET N-CH 30V 50A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IPD068N10N3 G | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
|
IPD068P03L3 G | Infineon Technologies | TO-252-3 | 3217 | MOSFET P-Channel -30V MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：- 7... | ||||||
|
|
IPD06N03LA G | Infineon Technologies | PG-TO252-3-11 | MOSFET N-CH 25V 50A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
|
IPD06N03LB G | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET N-CH 30V 50A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IPD075N03L G | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET N-CH 30V 30A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
64/305 首页 上页 [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] 下页 尾页
