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IPD03N03LA G

厂家：: Infineon Technologies
封装：: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
数量：: 3944
说明：: MOSFET N-CH 25V 90A

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IPD03N03LA G-TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63图片

IPD03N03LA G PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：42 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：10 ns
功率耗散：115 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：113 S / 56 S
下降时间：6.6 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-252
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：5.1 m Ohms
漏极连续电流：90 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：25 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPD03N03LA G的详细信息，包括IPD03N03LA G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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