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IPD053N06N

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 TO-252
数量：
 7686  
说明：
 MOSFET 60V TO-252
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IPD053N06N PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：20 ns
上升时间：12 ns
功率耗散：83 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：27 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：75 S / 38 S
下降时间：7 ns
封装形式：TO-252
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
电阻汲极/源极 RDS（导通）：5.3 mOhms
漏极连续电流：45 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
制造商：Infineon

以上是IPD053N06N的详细信息，包括IPD053N06N厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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