首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > IPD053N06N

IPD053N06N

厂家：: Infineon Technologies
封装：: TO-252
数量：: 7686
说明：: MOSFET 60V TO-252

一、本商品被浏览0次.

IPD053N06N PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：20 ns
上升时间：12 ns
功率耗散：83 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：27 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：75 S / 38 S
下降时间：7 ns
封装形式：TO-252
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
电阻汲极/源极 RDS（导通）：5.3 mOhms
漏极连续电流：45 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
制造商：Infineon

以上是IPD053N06N的详细信息，包括IPD053N06N厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：