IPD053N06N3 G

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 TO-252
数量:
 5322  
说明:
 MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V
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中文参数如下:

零件号别名:IPD053N06N3GBTMA1 IPD053N06N3GXT SP000453318
典型关闭延迟时间:32 ns
工厂包装数量:2500
功率耗散:115000 mW
最小工作温度:- 55 C
包装形式:Reel
封装形式:TO-252
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):5.3 mOhms
漏极连续电流:90 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:60 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Infineon

以上是IPD053N06N3 G的详细信息,包括IPD053N06N3 G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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