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IPD053N06N3 G

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 TO-252
数量：
 5322  
说明：
 MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V
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IPD053N06N3 G-TO-252图片

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中文参数如下：

零件号别名：IPD053N06N3GBTMA1 IPD053N06N3GXT SP000453318
典型关闭延迟时间：32 ns
工厂包装数量：2500
功率耗散：115000 mW
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：TO-252
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：5.3 mOhms
漏极连续电流：90 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPD053N06N3 G的详细信息，包括IPD053N06N3 G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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