IPD053N08N3 G

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 TO-252
数量:
 5136  
说明:
 MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 80V 90A
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中文参数如下:

零件号别名:IPD053N08N3GBTMA1 IPD053N08N3GXT SP000395183
典型关闭延迟时间:38 ns
工厂包装数量:2500
功率耗散:150000 mW
最小工作温度:- 55 C
包装形式:Reel
封装形式:TO-252
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):5.3 mOhms
漏极连续电流:90 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:80 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Infineon

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