Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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BTS131 | Infineon Technologies | TO-220AB | MOSFET TEMPFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：50 V，漏极连续电流：25 A，电阻汲极/... | ||||||
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BTS131 E3045A | Infineon Technologies | TO-220 | MOSFET N-Channel 50V TEMPFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：50 V，漏极连续电流：25 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：6... | ||||||
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BTS131E3045ANTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TEMPFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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BTS131NKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET TEMPFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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BTS132 E3045A | Infineon Technologies | TO-220AB | MOSFET N-Channel 60V TEMPFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，漏极连续电流：24 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：6... | ||||||
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BTS132 E3129 | Infineon Technologies | TO-220AB | MOSFET N-Channel 60V TEMPFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，漏极连续电流：24 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：6... | ||||||
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BTS132E3045ANTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TEMPFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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BTS132E3129NKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET TEMPFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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BUZ30A | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET N-CH 200V 21A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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BUZ30A H | Infineon Technologies | PG-TO-220-3 | 444 | MOSFET N-Channel 200V Transistor | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：21 A... | ||||||
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BUZ30A H3045A | Infineon Technologies | TO-263-3 | 940 | MOSFET N-Channel 200V Transistor | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：21 A... | ||||||
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BUZ30A L3045A | Infineon Technologies | TO-263-3 | 1319 | MOSFET N-CH 200V 21A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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BUZ31 | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET N-CH 200V 14.5A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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BUZ31 E3046 | Infineon Technologies | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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BUZ31 H | Infineon Technologies | PG-TO-220-3 | 153 | MOSFET N-Channel 200V Transistor | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：14.5... | ||||||
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BUZ31 H3045A | Infineon Technologies | PG-TO263-3 | 20 | MOSFET N-Channel 200V Transistor | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：14.5... | ||||||
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BUZ31 L3045A | Infineon Technologies | TO-220 | MOSFET SIPMOS PWR Transistr N-CH | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，漏极连续电流：13.5 A，电阻... | ||||||
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BUZ31L | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET N-CH 200V 13.5A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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BUZ31L H | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET N-Channel 200V Transistor | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：13.5... | ||||||
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BUZ32 | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET N-CH 200V 9.5A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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