Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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BSZ165N04NS G | Infineon Technologies | TSDSON-8 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 31A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSZ16DN25NS3 G | Infineon Technologies | PG-TDSON-8 | 6044 | MOSFET N-CH 250V 10.9A | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：10.9 A，电... | ||||||
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BSZ180P03NS3 G | Infineon Technologies | MOSFET P-Channel -30V MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：5000，零件号别名：BSZ180P03NS3GATMA1 BSZ180P03NS3G... | ||||||
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BSZ180P03NS3E G | Infineon Technologies | MOSFET P-Channel -30V MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：5000，零件号别名：BSZ180P03NS3EGATMA1 BSZ180P03NS3... | ||||||
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BSZ22DN20NS3G | Infineon Technologies | PG-TDSON-8 | MOSFET N-CH 200V 7A | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：7 A，电阻汲极... | ||||||
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BSZ240N12NS3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 120V MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：BSZ240N12NS3GATMA1 BSZ240N12NS3GXT SP0008198... | ||||||
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BSZ340N08NS3 G | Infineon Technologies | TSDSON-8 | 229 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSZ42DN25NS3 G | Infineon Technologies | TDSON-8 | 4647 | MOSFET N-Channel 250V MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：5 A，... | ||||||
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BSZ440N10NS3 G | Infineon Technologies | TSDSON-8 | 2957 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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BSZ520N15NS3 G | Infineon Technologies | TSDSON-8 | 2908 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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BSZ900N15NS3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：5000，零件号别名：BSZ900N15NS3GATMA1 B... | ||||||
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BSZ900N20NS3G | Infineon Technologies | PG-TDSON-8 | 1440 | MOSFET N-CH 200V 15.2A | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：15.2 A，电... | ||||||
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BTS7904B | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET OptiMOS-T PN 1/2Brdg Dual p/n-ch MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V at N Chanee... | ||||||
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BTS7904S | Infineon Technologies | TO-220 | MOSFET MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V at N Chanee... | ||||||
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BTS240A | Infineon Technologies | TO-218 | MOSFET N-Channel 50V TEMPFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：50 V，漏极连续电流：58 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：1... | ||||||
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BTS240AHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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BTS240ANK | Infineon Technologies | MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，包装形式：Tube，... | ||||||
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BTS244Z | Infineon Technologies | TO-220AB | MOSFET TEMPFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，漏极连续电流：35 A，电阻汲极/... | ||||||
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BTS244Z E3043 | Infineon Technologies | TO-220-5 | MOSFET TEMPFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，漏极连续电流：35 A，电阻汲极/... | ||||||
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BTS244Z E3062A | Infineon Technologies | TO-263-5，D2Pak（4 引线 + 接片），TO-263BB | MOSFET N-Channel 55V SPEED TEMPFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，漏极连续电流：35 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：1... | ||||||
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