BSZ42DN25NS3 G

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 TDSON-8
数量:
 5025  
说明:
 MOSFET N-Channel 250V MOSFET
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BSZ42DN25NS3 G PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:BSZ42DN25NS3GATMA1 BSZ42DN25NS3GXT SP000781796
典型关闭延迟时间:8 nS
上升时间:2 nS
功率耗散:33.8 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:4.2 nC
下降时间:5 nS
包装形式:Reel
封装形式:TDSON-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS(导通):425 mOhms at 10 V
漏极连续电流:5 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:250 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Infineon

以上是BSZ42DN25NS3 G的详细信息,包括BSZ42DN25NS3 G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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