BSZ440N10NS3 G

厂家：: Infineon Technologies
封装：: TSDSON-8
数量：: 5126
说明：: MOSFET N-KANAL POWER MOS

一、本商品被浏览0次.

BSZ440N10NS3 G PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：BSZ440N10NS3GATMA1 BSZ440N10NS3GXT SP000482442
典型关闭延迟时间：9.1 ns
工厂包装数量：5000
上升时间：1.8 ns
功率耗散：29 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：2 ns
包装形式：Reel
封装形式：TSDSON-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.044 Ohms
漏极连续电流：5.3 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

以上是BSZ440N10NS3 G的详细信息，包括BSZ440N10NS3 G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：