BSZ900N20NS3G

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 PG-TDSON-8
数量:
 3636  
说明:
 MOSFET N-CH 200V 15.2A
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BSZ900N20NS3G PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:BSZ900N20NS3GATMA1 BSZ900N20NS3GXT
功率耗散:62.5 W
最小工作温度:- 55 C
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :16 S, 8 S
包装形式:Reel
封装形式:PG-TDSON-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
电阻汲极/源极 RDS(导通):77 mOhms
漏极连续电流:15.2 A
闸/源击穿电压:20 V
汲极/源极击穿电压:200 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Infineon

以上是BSZ900N20NS3G的详细信息,包括BSZ900N20NS3G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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