BSZ900N20NS3G

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-TDSON-8
数量：: 3636
说明：: MOSFET N-CH 200V 15.2A

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中文参数如下：

零件号别名：BSZ900N20NS3GATMA1 BSZ900N20NS3GXT
功率耗散：62.5 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：16 S, 8 S
包装形式：Reel
封装形式：PG-TDSON-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
电阻汲极/源极 RDS（导通）：77 mOhms
漏极连续电流：15.2 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：200 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

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