BSZ16DN25NS3 G

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-TDSON-8
数量：: 6395
说明：: MOSFET N-CH 250V 10.9A

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中文参数如下：

零件号别名：BSZ16DN25NS3GATMA1 BSZ16DN25NS3GXT SP000781800
功率耗散：62.5 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：14 S, 7 S
包装形式：Reel
封装形式：PG-TDSON-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
电阻汲极/源极 RDS（导通）：146 mOhms
漏极连续电流：10.9 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：250 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

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