Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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BSZ035N03MS G | Infineon Technologies | TSDSON-8 | MOSFET 30.0V 3.5mOhm N CHANNEL MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSZ036NE2LS | Infineon Technologies | TDSON-8 | 6177 | MOSFET N-Channel 30V MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：50 A，... | ||||||
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BSZ040N04LS G | Infineon Technologies | TSDSON-8 | 2879 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 40A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSZ042N04NS G | Infineon Technologies | TSDSON-8 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 40A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSZ049N03LSC G | Infineon Technologies | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：5000，零件号别名：BSZ049N03LSCGATMA1 B... | ||||||
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BSZ049N03MSC G | Infineon Technologies | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：5000，零件号别名：BSZ049N03MSCGATMA1 B... | ||||||
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BSZ050N03LS G | Infineon Technologies | TSDSON-8 | MOSFET OptiMOS 3 N-CH 30V 40A 5mOhms | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSZ050N03MS G | Infineon Technologies | TSDSON-8 | 5348 | MOSFET OptiMOS 3 M-SERIES | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSZ058N03LS G | Infineon Technologies | TSDSON-8 | 1828 | MOSFET OptiMOS 3 N-CH 30V 40A 5.8mOhms | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSZ058N03MS G | Infineon Technologies | TSDSON-8 | 3276 | MOSFET OptiMOS 3 M-SERIES | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSZ060NE2LS | Infineon Technologies | TDSON-8 | 1880 | MOSFET N-KAN | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：26 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：40 A，... | ||||||
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BSZ065N03LS | Infineon Technologies | TDSON-8 | 6149 | MOSFET N-KAN | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：40 A，... | ||||||
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BSZ067N06LS3 G | Infineon Technologies | TSDSON | 766 | MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSZ076N06NS3 G | Infineon Technologies | TDSON-8 | 4625 | MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续... | ||||||
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BSZ086P03NS3 G | Infineon Technologies | TSDSON-8 | 6490 | MOSFET P-KANAL | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 25 V，... | ||||||
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BSZ086P03NS3E G | Infineon Technologies | TSDSON-8 | MOSFET P-KANAL | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 25 V，... | ||||||
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BSZ088N03LS G | Infineon Technologies | TSDSON-8 | 260 | MOSFET OptiMOS 3 N-CH 30V 40A 8.8mOhms | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSZ088N03MS G | Infineon Technologies | TSDSON-8 | MOSFET OptiMOS 3 M-SERIES | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSZ0901NS | Infineon Technologies | PG-TDSON-8 | 7415 | MOSFET N-CH 30V 0.9mOhm | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：40 A，... | ||||||
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BSZ0901NSI | Infineon Technologies | PG-TDSON-8 | 5205 | MOSFET N-CH 30V 0.9mOhm | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：40 A，... | ||||||
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