BSZ067N06LS3 G

厂家：: Infineon Technologies
封装：: TSDSON
数量：: 955
说明：: MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH

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中文参数如下：

零件号别名：BSZ067N06LS3GATMA1 BSZ067N06LS3GXT SP000451080
典型关闭延迟时间：37 ns
工厂包装数量：5000
功率耗散：2100 mW
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：TSDSON
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：6.7 mOhms
漏极连续电流：14 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

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