Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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BSS215P L6327 | Infineon Technologies | SOT-23-3 | MOSFET OptiMOS P2 Sm-Signal Transistor P-CH | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，... | ||||||
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BSS215PH6327XT | Infineon Technologies | PG-SOT-23 | 2296 | MOSFET OptiMOS P2 Small Signal Transistor | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电流：- 1... | ||||||
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BSS223PW L6327 | Infineon Technologies | PG-SOT323 | MOSFET P-CH -20 V .39 A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，... | ||||||
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BSS223PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | PG-SOT323 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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BSS225 L6327 | Infineon Technologies | SOT-89-4 | 2106 | MOSFET SIPMOS Sm-Signal TRANSISTOR 600V .09A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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BSS306N L6327 | Infineon Technologies | SOT-23-3 | 668 | MOSFET OptiMOS 2 Sm-Signal Transistor N-CH | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSS306NH6327XT | Infineon Technologies | PG-SOT-23 | 2726 | MOSFET OptiMOS 2 Small Signal Transistor | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：2.3 ... | ||||||
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BSS308PE L6327 | Infineon Technologies | SOT-23-3 | MOSFET OptiMOS P2 Sm-Signal Transistor P-CH | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSS308PEH6327XT | Infineon Technologies | PG-SOT-23 | 4849 | MOSFET OptiMOS P3 Small Signal Transistor | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：- ... | ||||||
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BSS314PE L6327 | Infineon Technologies | MOSFET P-Channel -30V MOSFET | |||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：3000，零件号别名：BSS314PEL6327HTSA1 BSS314PEL6327... | ||||||
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BSS314PEH6327XT | Infineon Technologies | PG-SOT-23 | 2900 | MOSFET OptiMOS -P 3 Small Signal Transistor | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：- 1.... | ||||||
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BSS315P L6327 | Infineon Technologies | SOT-23-3 | MOSFET OptiMOS-P2 Sm-Signal Transistor P-CH | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSS315PH6327XT | Infineon Technologies | PG-SOT-23 | 1583 | MOSFET OptiMOS -P 2 Small Signal Transistor | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：- ... | ||||||
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BSS316N L6327 | Infineon Technologies | SOT-23-3 | MOSFET OptiMOS 2 Sm-Signal Transistor N-CH | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSS316NH6327XT | Infineon Technologies | PG-SOT-23 | 2664 | MOSFET OptiMOS 2 Small Signal Transistor | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：1.4 ... | ||||||
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BSP372 L6327 | Infineon Technologies | SOT-223-4 | 1900 | MOSFET SIPMOS SM-Signal Transistor 100V 1.7A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 14 V... | ||||||
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BSP373 L6327 | Infineon Technologies | SOT-223-4 | 2407 | MOSFET SIPMOS SM-Signal Transistor 100V 1.7A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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BSP315P L6327 | Infineon Technologies | SOT-223-4 | 1497 | MOSFET MOSFET P-Channel | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSP316P L6327 | Infineon Technologies | SOT-223-4 | 408 | MOSFET SIPMOS Sm-Signal TRANSISTOR | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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BSP317P L6327 | Infineon Technologies | SOT-223-4 | 622 | MOSFET SIPMOS Sm-Signal TRANSISTOR | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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