BSS308PEH6327XT

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-SOT-23
数量：: 11149
说明：: MOSFET OptiMOS P3 Small Signal Transistor

一、本商品被浏览0次.

BSS308PEH6327XT PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：BSS308PE BSS308PEH6327XTSA1 H6327
典型关闭延迟时间：15.3 ns
上升时间：7.7 ns
功率耗散：500 mW
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：- 5 nC
下降时间：2.8 ns
包装形式：Reel
封装形式：PG-SOT-23
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：80 mOhms at - 10 V
漏极连续电流：- 2 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：- 30 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是BSS308PEH6327XT的详细信息，包括BSS308PEH6327XT厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：