BSS225 L6327

厂家：: Infineon Technologies
封装：: SOT-89-4
数量：: 3231
说明：: MOSFET SIPMOS Sm-Signal TRANSISTOR 600V .09A

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BSS225 L6327 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：BSS225L6327HTSA1 BSS225L6327XT SP000095776
典型关闭延迟时间：62 ns
工厂包装数量：1000
上升时间：38 ns
功率耗散：1000 mW
最小工作温度：- 55 C
下降时间：38 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOT-89-4
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：45000 mOhms
漏极连续电流：0.09 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

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