BSS308PE L6327

厂家：: Infineon Technologies
封装：: SOT-23-3
数量：: 1143
说明：: MOSFET OptiMOS P2 Sm-Signal Transistor P-CH

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BSS308PE L6327 PDF参数资料

中文参数如下：

零件号别名：BSS308PEL6327HTSA1 BSS308PEL6327XT SP000442474
典型关闭延迟时间：15.3 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：7.7 ns
功率耗散：500 mW
最小工作温度：- 55 C
下降时间：7.7 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOT-23-3
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：80 mOhms
漏极连续电流：2 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

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