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BSP317P L6327

厂家：: Infineon Technologies
封装：: SOT-223-4
数量：: 8974
说明：: MOSFET SIPMOS Sm-Signal TRANSISTOR

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BSP317P L6327 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：BSP317PL6327HTSA1 BSP317PL6327XT SP000089220
典型关闭延迟时间：254 ns
工厂包装数量：1
上升时间：11.1 ns
功率耗散：1800 mW
最小工作温度：- 55 C
下降时间：11.1 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOT-223-4
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：4000 mOhms
漏极连续电流：0.43 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：250 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

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