首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > BSP317PE6327T

BSP317PE6327T

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 PG-SOT223-4
数量：
 8370  
说明：
 MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
BSP317PE6327T-PG-SOT223-4图片

BSP317PE6327T PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：4 欧姆 @ 430mA, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：250V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：430mA
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 370µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：15.1nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：262pF @ 25V
功率 - 最大：1.8W
安装类型：表面贴装

以上是BSP317PE6327T的详细信息，包括BSP317PE6327T厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • IPLK60R360PFD7ATMA1
  • SQJ431AEP-T1_GE3
  • STD4N80K5
  • SIR873DP-T1-GE3
  • DMN6010SCTBQ-13
  • DMNH6010SCTBQ-13
  • IPI80N06S208AKSA2
  • STL22N60DM6
  • RJK0856DPB-00#J5
  • NVB260N65S3

    • 相近型号推荐

    • BSP32 T/R图片

      BSP32 T/R

      两极晶体管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC