Infineon Technologies
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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BSO440N10NS3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：2500，零件号别名：BSO440N10NS3GXT，... | ||||||
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BSO4804 | Infineon Technologies | PG-DSO-8 | MOSFET OptiMOS Small-Signal Transistor N-CH | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSO4822 | Infineon Technologies | PG-DSO-8 | MOSFET OptiMOS Small-Signal Transistor N-CH | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSO500N15NS3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：2500，零件号别名：BSO500N15NS3GXT，... | ||||||
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BSO604NS2 | Infineon Technologies | DSO-8 | MOSFET OptiMOS PWR TRANSITR DUAL N-CH ENH MODE | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSO612CV | Infineon Technologies | PG-DSO-8 | MOSFET N/P Channel 60V/-60V | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V / - 60 V，闸/... | ||||||
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BSO612CV G | Infineon Technologies | DSO-8 | MOSFET Dual N/P Channel 60 V 3 A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：+ 60 V / - 60 V，... | ||||||
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BSO613SPV G | Infineon Technologies | DSO-8 | 1342 | MOSFET SIPMOS PWR-TRNSTR | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 ... | ||||||
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BSO615C G | Infineon Technologies | DSO-8 | 583 | MOSFET SIPMOS Sm-Signal TRANSISTOR | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：+/- 60 V，闸/源击穿电压... | ||||||
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BSO615N G | Infineon Technologies | SO-8 | 1173 | MOSFET SIPMOS Sm-Signal TRANSISTOR 60V 2.6A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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BSD214SN L6327 | Infineon Technologies | PG-SOT363-PO | MOSFET N-KANAL SML SIG MOS | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：12 V，漏极连续... | ||||||
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BSD223P L6327 | Infineon Technologies | PG-SOT363-PO | MOSFET P-CH -20 V -.35 A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，... | ||||||
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BSD223PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | PG-SOT363-6-1 | 15,000 | MOSFET P-CHANNEL MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：BSD223PH6327 BSD223PH6327XT，... | ||||||
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BSD235C L6327 | Infineon Technologies | PG-SOT363-PO | MOSFET OptiMOS 2/OptiMOS-P2 Sm Signal Transistr | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/-... | ||||||
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BSD235CH6327XT | Infineon Technologies | SOT-363 | 4240 | MOSFET OptiMOS 2,-P 2 Small Signal Transistor | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：+/- 20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
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BSD235N L6327 | Infineon Technologies | PG-SOT363-PO | MOSFET OptiMOS 2 Sm-Signal Transistor | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，... | ||||||
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BSD235NH6327XT | Infineon Technologies | SOT-363 | 552 | MOSFET OptiMOS 2 Small Signal Transistor | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电流：950 m... | ||||||
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BSD314SPE L6327 | Infineon Technologies | SOT-363-6 | 2775 | MOSFET P-Channel -30V MOSFET | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：- 1... | ||||||
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BSD314SPEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 | 804 | MOSFET P-CHANNEL MOS | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，包装形式：Reel，零件号别名：BSD314SPEH6327 BSD314SPEH6327XT，... | ||||||
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BSD316SN L6327 | Infineon Technologies | SOT-363-6 | MOSFET OptiMOS 2 Sm-Signal Transistor | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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