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ZVN2110C

厂家：: Diodes Inc. / Zetex
封装：: E-Line-3
数量：: 6327
说明：: MOSFET -

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ZVN2110C PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：13 ns
上升时间：7 ns
功率耗散：700 mW
最小工作温度：- 55 C
下降时间：7 ns
封装形式：E-Line-3
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：4000 mOhms
漏极连续电流：0.32 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Diodes Inc.

以上是ZVN2110C的详细信息，包括ZVN2110C厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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