ZVN2110GTA

厂家:
  Diodes Inc. / Zetex
封装:
 TO-261-4,TO-261AA
数量:
 4203  
说明:
 MOSFET N-Chnl 100V
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ZVN2110GTA PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:8 ns
工厂包装数量:1000
上升时间:4 ns
功率耗散:2 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:8 ns
包装形式:Reel
封装形式:SOT-223
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS(导通):4 Ohms
漏极连续电流:500 mA
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:100 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Diodes Inc.

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