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ZVN2120C

厂家：
  Diodes Inc. / Zetex
封装：
 E-Line-3
数量：
 6363  
说明：
 MOSFET -
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ZVN2120C PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：20 ns
上升时间：8 ns
功率耗散：700 mW
最小工作温度：- 55 C
下降时间：8 ns
封装形式：E-Line-3
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：10000 mOhms
漏极连续电流：0.18 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：200 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Diodes Inc.

以上是ZVN2120C的详细信息，包括ZVN2120C厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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