ZVN2120C

厂家:
  Diodes Inc. / Zetex
封装:
 E-Line-3
数量:
 6363  
说明:
 MOSFET -
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ZVN2120C PDF参数资料

中文参数如下:

典型关闭延迟时间:20 ns
上升时间:8 ns
功率耗散:700 mW
最小工作温度:- 55 C
下降时间:8 ns
封装形式:E-Line-3
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):10000 mOhms
漏极连续电流:0.18 A
闸/源击穿电压:20 V
汲极/源极击穿电压:200 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:否
制造商:Diodes Inc.

以上是ZVN2120C的详细信息,包括ZVN2120C厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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